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Datasheet下载- 型号： BUL45D2G
- 制造商： ON Semiconductor
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BUL45D2G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL45D2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL45D2G价格参考。ON SemiconductorBUL45D2G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 5A 13MHz 75W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL45D2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUL45D2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUL45D2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于中高功率的开关和放大电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理与开关电路：适用于DC-DC转换器、电源开关控制等场景，作为高效能的电子开关使用。 2. 电机驱动：在小型电机或继电器的驱动电路中，用于控制电流流通，实现启停或调速功能。 3. 音频放大器：适合作为音频功率放大电路中的输出级元件，提供足够的电流增益和稳定性。 4. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的信号放大、执行机构控制等场合。 该晶体管具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO=800V）、额定集电极电流较大，适合高压、中等功率应用环境。同时采用TO-220封装，便于散热和安装，提高了在恶劣工作条件下的可靠性。由于其良好的性价比和稳定性能，BUL45D2G常被选用在消费类电子、工业设备以及照明系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 400V 5A TO-220AB两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUL45D2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUL45D2G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 400mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 2A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | BUL45D2GOS |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 13 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 34 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 22 |
| 系列 | BUL45D2 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.46 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 13MHz |
