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DZT751-13产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DZT751-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DZT751-13价格参考。Diodes Inc.DZT751-13封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 3A 145MHz 1W 表面贴装 SOT-223。您可以下载DZT751-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DZT751-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DZT751-13的晶体管,属于Diodes Incorporated品牌下的双极型晶体管(BJT)产品系列,是一款常用的单晶体管器件。该器件通常采用SOT-23封装,具有体积小、响应快、可靠性高等特点。 应用场景如下: 1. 开关电路:DZT751-13常用于数字电路中的开关应用,例如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等,因其具备良好的导通与截止特性,适合做电子开关使用。 2. 信号放大:在低频和中频模拟电路中,可用于小信号放大,如音频前置放大器或传感器信号调理电路中。 3. 电源管理:在小型电源管理系统中作为控制元件使用,例如DC-DC转换器中的驱动部分。 4. 工业控制设备:广泛应用于各类工业自动化设备、仪表及控制系统中,作为关键的电子元器件实现电路控制功能。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、充电器等便携式设备中,用于实现高效能、小型化的电路设计。 综上,DZT751-13凭借其优异性能,在通信、控制、消费电子等多个领域均有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 60V 3A SOT-223两极晶体管 - BJT PNP 1W |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DZT751-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DZT751-13 |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 300mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | DZT751DIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 145 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 70 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V |
系列 | DZT751 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
频率-跃迁 | 145MHz |