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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1205T-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1205T-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SB1205T-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1205T-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1205T-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SB1205T-TL-E是一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于需要中等电流和电压控制的电路中,典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:作为开关元件用于DC-DC转换器、稳压电源或负载开关,实现对电源通断的高效控制。 2. 信号放大:在音频设备或低频模拟电路中用作前置放大器或驱动级放大,处理小信号的增益调节。 3. 继电器与马达驱动:在消费类电子或工业控制设备中,用于驱动继电器、小型电机或电磁阀,通过微弱控制信号实现大负载的通断。 4. 消费电子产品:广泛应用于电视、音响、家用电器等设备中的接口电路和控制模块,提供可靠的开关功能。 5. LED驱动:用于恒流或开关式LED照明控制电路,确保发光稳定并提高能效。 2SB1205T-TL-E采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-223或类似),适合自动化生产,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于空间受限且需一定功率处理能力的场合。其铅垂化设计符合环保要求,适用于现代绿色电子产品制造。总体而言,该型号适用于多种中低频、中低功率的模拟与数字控制场景,是工业、消费类电子中常见的通用型BJT解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 5A 20V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1205T-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1205T-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 60mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 320 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 10 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2SB1205 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 320MHz |