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  • 型号: 2SB1205T-TL-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1205T-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1205T-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SB1205T-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1205T-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1205T-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor生产的2SB1205T-TL-E是一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于需要中等电流和电压控制的电路中,典型应用场景包括:

1. 电源管理电路:作为开关元件用于DC-DC转换器、稳压电源或负载开关,实现对电源通断的高效控制。

2. 信号放大:在音频设备或低频模拟电路中用作前置放大器或驱动级放大,处理小信号的增益调节。

3. 继电器与马达驱动:在消费类电子或工业控制设备中,用于驱动继电器、小型电机或电磁阀,通过微弱控制信号实现大负载的通断。

4. 消费电子产品:广泛应用于电视、音响、家用电器等设备中的接口电路和控制模块,提供可靠的开关功能。

5. LED驱动:用于恒流或开关式LED照明控制电路,确保发光稳定并提高能效。

2SB1205T-TL-E采用紧凑的表面贴装封装(如SOT-223或类似),适合自动化生产,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于空间受限且需一定功率处理能力的场合。其铅垂化设计符合环保要求,适用于现代绿色电子产品制造。总体而言,该型号适用于多种中低频、中低功率的模拟与数字控制场景,是工业、消费类电子中常见的通用型BJT解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP BIPO 5A 20V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1205T-TL-E-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

2SB1205T-TL-E

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 60mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

2-TP-FA

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

320 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252

工厂包装数量

700

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

10 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 8 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

700

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

400

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

2SB1205

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 20 V

集电极—基极电压VCBO

- 25 V

集电极—射极饱和电压

- 0.25 V

集电极连续电流

- 5 A

频率-跃迁

320MHz

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