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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9E4R4-80E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E4R4-80E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E4R4-80E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E4R4-80E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E4R4-80E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E4R4-80E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E4R4-80E,127 是恩智浦（NXP）推出的高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。其关键参数包括：80V漏源电压（VDS）、典型导通电阻RDS(on)仅4.4mΩ（VGS=10V）、连续漏极电流高达120A（Tc=25°C），并具备雪崩耐量与强短路鲁棒性。 该器件主要应用于中高压、高效率、高可靠性的功率开关场景，典型包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机驱动、LED前照灯调光与矩阵式大灯开关、12V/48V混动系统中的DC-DC转换与负载切换（符合AEC-Q101认证）； ✅ 工业电源与电机控制：伺服驱动器的H桥下管、PLC输出模块、智能断路器、UPS逆变器次级侧同步整流或电池保护开关； ✅ 消费类高功率设备：电动工具（如无刷电调BEMF采样开关）、无人机电调、高端家电（变频压缩机/风机驱动）等需低导通损耗与快速开关响应的场合。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.1V）可直接兼容3.3V/5V MCU GPIO，简化驱动设计；LFPAK56封装兼具低热阻（RthJC≈0.55K/W）与高可靠性，适合紧凑型PCB布局。综合来看，该MOSFET适用于对效率、热管理及功能安全有较高要求的车载与工业中功率开关应用。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 123nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9875-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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