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Datasheet下载- 型号： BUK9E3R7-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9E3R7-60E,127产品简介：
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BUK9E3R7-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：VDS = 60 V、RDS(on) 典型值仅 3.7 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流 ID 高达 100 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与优异热性能。 该器件主要面向中高功率、高效率、空间受限的汽车电子与工业控制场景。典型应用包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯/尾灯/转向灯）、雨刮电机、座椅调节电机、电动水泵/油泵等12 V/24 V直流负载开关；符合AEC-Q101认证，支持严苛车载环境（-40°C 至 +175°C结温）。 ✅ 工业电源与电机控制：DC-DC转换器次级侧同步整流、可编程逻辑控制器（PLC）输出驱动、小型直流无刷（BLDC）电机相位开关、继电器/电磁阀替代方案。 ✅ 消费与计算设备：服务器电源热插拔保护、大电流负载开关（如GPU供电管理）、电池管理系统（BMS）中的充放电主控开关（需配合外部保护电路）。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至1.0–2.2 V）可直接由MCU或FPGA的3.3 V/5 V GPIO驱动，简化外围电路；LFPAK56封装提供远优于传统SO-8的散热能力与功率密度，适合紧凑型PCB布局。 注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（防振荡）、PCB铜箔散热及过流/过温保护机制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9E3R7-60E,127 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | 568-9874-5 |
| 功率-最大值 | 293W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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