Datasheet下载- 型号： BUK9E3R2-40E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E3R2-40E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E3R2-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E3R2-40E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E3R2-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E3R2-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E3R2-40E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：VDS = 40 V、RDS(on) 典型值仅 3.2 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流 ID 高达 120 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与优异热性能。 该器件广泛应用于对效率、空间和可靠性要求严苛的中低压功率开关场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯、尾灯、转向灯）、电机控制（座椅调节、雨刮、散热风扇）、电子节气门与燃油泵驱动——符合 AEC-Q101 认证，支持 12 V/24 V 车载系统； ✅ 工业电源与负载开关：DC-DC 二次侧同步整流、高电流电源分配单元（PDU）、可编程逻辑控制器（PLC）输出驱动、电动工具与电池供电设备的主功率开关； ✅ 消费类与计算设备：服务器/工作站的板级电源管理、大电流 USB PD 供电路径开关、固态继电器（SSR）替代方案。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V）可直接兼容 3.3 V/5 V MCU 或 FPGA 输出，无需额外驱动电路；内置 ESD 保护与雪崩耐量（UIS）设计进一步提升系统鲁棒性。综上，该器件是高效、紧凑、高可靠中功率开关的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E3R2-40E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9873-5 |
| 功率-最大值 | 234W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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