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  • 型号: BUK7Y59-60E
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y59-60E由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y59-60E价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y59-60E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7Y59-60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7Y59-60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK7Y59-60E 是 NXP USA Inc. 推出的一款专用 IC(Specific Application IC),实为高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET(虽常归类于功率分立器件,但在NXP产品线中被划入“专用IC”类别,因其针对特定电源管理应用高度优化)。其关键参数包括:60 V VDSS、最大导通电阻 RDS(on) 仅 5.9 mΩ(典型值,VGS = 10 V)、连续漏极电流达 80 A(Tc = 25°C),采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具备优异热性能与低寄生电感。

主要应用场景包括:  
1. 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的负载开关(如车灯、雨刮、座椅电机驱动)、DC-DC 转换器次级侧同步整流、电动助力转向(EPS)系统中的高可靠性功率开关;  
2. 工业电源与电机控制:PLC 输出模块、伺服驱动器的H桥臂开关、大电流DC/DC模块(如48 V输入系统);  
3. 消费与计算设备:高端服务器主板的VRM(电压调节模块)中作为高效率下管,以及笔记本电脑/游戏本的电池保护与电源路径管理。  

该器件支持逻辑电平驱动(兼容3.3 V/5 V MCU),具备AEC-Q101汽车级认证,内置ESD保护与雪崩耐量,适用于对能效、尺寸、可靠性和EMI性能要求严苛的中高功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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