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- 型号： BUK7Y21-40E
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y21-40E由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y21-40E价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y21-40E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7Y21-40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7Y21-40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7Y21-40E 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 TO-220AB 封装，具有 40 V 漏源电压（VDS）、21 A 连续漏极电流（ID，TC=25°C）及典型导通电阻 RDS(on) 低至 21 mΩ（VGS=10 V）或 28 mΩ（VGS=4.5 V），支持逻辑电平驱动（3.3 V/5 V MCU 直接控制）。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电源管理、车灯（LED 前照灯/尾灯）开关、电机控制（如风扇、雨刮、座椅调节）、车身控制模块（BCM）中的负载切换； ✅ 工业控制：PLC 输出驱动、继电器替代、DC-DC 变换器同步整流、电机启停与调速（中小功率直流/步进电机）； ✅ 消费与电源应用：开关电源（SMPS）次级侧开关、电池保护电路（如充电/放电路径控制）、USB-C PD 电源路径管理、智能插座及家电中的固态继电器（SSR）方案。 该器件通过 AEC-Q101 认证，具备高可靠性、强抗雪崩能力（UIS rated）和优化的开关特性，适用于中等功率、高频开关（数十kHz 至百kHz 级）且需低驱动功耗的严苛环境。其逻辑电平兼容性显著简化了 MCU 接口设计，无需额外驱动电路，适合空间与能效敏感型应用。
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