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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7K5R6-30E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7K5R6-30E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7K5R6-30E,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7K5R6-30E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7K5R6-30E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7K5R6-30E,115 是 Nexperia 推出的双通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET 阵列(TrenchMOS™ 技术),采用 LFPAK56 封装。其典型导通电阻 RDS(on) 低至 5.6 mΩ(VGS = 10 V),最大漏源电压 VDS 为 30 V,连续漏极电流 ID 达 40 A(单通道,Tamb = 25°C),具备高效率、小尺寸与强散热能力。 主要应用场景包括: ✅ 汽车电子:用于车身控制模块(BCM)中的车窗升降、座椅调节、雨刮器、LED 前照灯/尾灯调光等中低压直流负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持 12 V/24 V 车载系统。 ✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、电机驱动(如小型直流风扇、步进电机相位开关)、电源分配与热插拔保护。 ✅ 消费电子与电源管理:USB PD 多口充电器中的功率路径管理、电池保护电路(充放电开关)、DC-DC 同步整流辅助开关、智能插座/照明调光模块。 该器件集成双 MOSFET,可实现半桥配置或独立双路控制,内置 ESD 保护(HBM ±2 kV),具备快速开关(ton/toff 约 10 ns 量级)与低栅极电荷(QG ≈ 19 nC),显著降低驱动损耗,适合高频率 PWM 控制。LFPAK56 封装提供优异热性能(RthJA ≈ 35 K/W),便于 PCB 散热设计,无需额外散热器。 综上,BUK7K5R6-30E,115 是面向中功率、高可靠性、空间受限场景的理想集成开关方案,尤其适用于汽车与工业领域对鲁棒性与能效有严苛要求的应用。(字数:398)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK7K5R6-30E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1969pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.6 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 其它名称 | 568-9897-1 |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A |