Datasheet下载- 型号： BUK7E1R6-30E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E1R6-30E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E1R6-30E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E1R6-30E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7E1R6-30E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E1R6-30E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7E1R6-30E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。其关键参数包括：VDS = 30 V、RDS(on) 典型值仅 1.6 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流 ID 高达 120 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与快速开关特性。 该器件主要应用于中高功率、高效率的直流电源与功率控制场景，典型用途包括： ✅ 汽车电子：车载电机驱动（如电子风扇、水泵、座椅调节）、LED 车灯调光/开关、电池管理系统（BMS）中的充放电主控开关； ✅ 工业电源：DC-DC 降压转换器（Buck）、同步整流电路、热插拔保护、负载开关； ✅ 消费类设备：大功率便携式设备（如电动工具、无人机电调模块）的主功率开关； ✅ 通用开关应用：替代机械继电器或高功耗双极晶体管，实现低驱动功耗、高可靠性通断控制。 其逻辑电平驱动能力（VGS(th) 低至 1.0–2.0 V，可被 3.3 V/5 V MCU 直接驱动）及内置 ESD 保护和雪崩耐量（UIS rated），使其特别适合空间受限、需简化驱动设计且对鲁棒性要求高的嵌入式系统。注意：实际应用中需重视散热设计（TO-220 需配合适当散热器）及 PCB 布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7E1R6-30E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 154nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9848-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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