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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK7E13-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E13-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E13-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E13-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7E13-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E13-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7E13-60E,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装。其典型参数包括：VDS = 60 V、RDS(on) ≈ 13 mΩ（@ VGS = 10 V）、ID（连续）达50 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与快速开关特性。 该器件主要应用于中功率直流控制场景，常见于： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯、雾灯、LED尾灯）、雨刮电机、风扇/水泵继电器替代、座椅加热控制等；符合AEC-Q101可靠性标准，支持12 V/24 V车载系统。 ✅ 工业电源与电机控制：DC-DC转换器次级侧同步整流、中小功率无刷直流（BLDC）电机的相位驱动、PLC输出模块、继电器/电磁阀驱动电路。 ✅ 消费类及家电：智能家电（洗衣机、空调压缩机辅助驱动）、电动工具电池保护板、LED照明调光/恒流驱动电路。 其逻辑电平兼容性（VGS(th)低至1–2.5 V，可被3.3 V/5 V MCU直接驱动）和内置ESD保护、雪崩耐量设计，使其在空间受限、需高可靠性的嵌入式开关应用中优势显著。注意实际使用时需配合合理散热（如加装散热片）并确保PCB布局降低寄生电感，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7E13-60E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9847-5 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
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