Datasheet下载- 型号： BUK761R4-30E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK761R4-30E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK761R4-30E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK761R4-30E,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK761R4-30E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK761R4-30E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK761R4-30E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4 mΩ @ VGS = 10 V）、30 V 耐压、高达 120 A 的脉冲漏极电流（IDM）等特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗/雨刮电机驱动、LED 大灯调光与开关、启动继电器替代（如智能电源分配单元）、12 V 电池供电系统的高效率负载开关。 - 工业电源与电机控制：适用于 DC-DC 降压转换器（同步整流）、电动工具、泵/风扇的 BLDC 或有刷电机驱动的低侧开关，尤其适合需低损耗和高电流能力的场合。 - 服务器与通信设备电源管理：用作 OR-ing FET、热插拔保护、冗余电源切换及 POL（Point-of-Load）稳压器中的功率开关。 - 消费类高功率设备：如大功率充电器、UPS 系统、电池管理系统（BMS）中的充放电主控开关。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.5 V），可直接由 MCU 或 FPGA 驱动；具备雪崩耐量（UIS）和过温保护兼容性，满足 AEC-Q101 汽车级可靠性认证，兼具高鲁棒性与易用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAKMOSFET BUK761R4-30E/D2PAK/REEL13 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK761R4-30E,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK761R4-30E,118 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 324 W |
| Pd-功率耗散 | 324 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 52.3 ns |
| 下降时间 | 59.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9580pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.45 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10169-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 74.4 ns |
| 功率-最大值 | 324W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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