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BUK7607-55B,118产品简介:
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BUK7607-55B,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、75 A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)及典型导通电阻 RDS(on) 仅 7.5 mΩ(VGS=10 V)。其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 低至 1–2.5 V,且在 4.5 V 下即可充分导通)使其兼容 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动,无需额外驱动电路。 典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的座椅加热、车窗升降、雨刮电机、LED 大灯调光等中功率负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持严苛车载环境。 ✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、直流电机启停与正反转控制、电磁阀/泵驱动等需高可靠性、低功耗开关的场合。 ✅ 电源管理:DC-DC 转换器次级同步整流、电池保护电路(如充放电路径控制)、热插拔(Hot-swap)和电子保险丝(eFuse)设计。 ✅ 消费类设备:大功率 LED 驱动电源、电动工具电池包保护板、UPS 系统主开关等对效率与散热有要求的中高电流应用。 该器件具备低开关损耗、内置ESD保护及雪崩耐受能力(UIS rated),适合高频(≤100 kHz)或中频开关应用,在兼顾性能、成本与设计简洁性方面表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 119 A |
| Id-连续漏极电流 | 119 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7607-55B,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7607-55B,118 |
| Pd-PowerDissipation | 203 W |
| Pd-功率耗散 | 203 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 52 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.1 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5849-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 77 ns |
| 功率-最大值 | 203W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7607-55B |