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  • 型号: BUK7607-55B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK7607-55B,118产品简介:

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BUK7607-55B,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、75 A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)及典型导通电阻 RDS(on) 仅 7.5 mΩ(VGS=10 V)。其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 低至 1–2.5 V,且在 4.5 V 下即可充分导通)使其兼容 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动,无需额外驱动电路。

典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的座椅加热、车窗升降、雨刮电机、LED 大灯调光等中功率负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持严苛车载环境。  
✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、直流电机启停与正反转控制、电磁阀/泵驱动等需高可靠性、低功耗开关的场合。  
✅ 电源管理:DC-DC 转换器次级同步整流、电池保护电路(如充放电路径控制)、热插拔(Hot-swap)和电子保险丝(eFuse)设计。  
✅ 消费类设备:大功率 LED 驱动电源、电动工具电池包保护板、UPS 系统主开关等对效率与散热有要求的中高电流应用。

该器件具备低开关损耗、内置ESD保护及雪崩耐受能力(UIS rated),适合高频(≤100 kHz)或中频开关应用,在兼顾性能、成本与设计简洁性方面表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

119 A

Id-连续漏极电流

119 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7607-55B,118TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK7607-55B,118

Pd-PowerDissipation

203 W

Pd-功率耗散

203 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

52 ns

下降时间

41 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3760pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.1 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-5849-1

典型关闭延迟时间

77 ns

功率-最大值

203W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK7607-55B

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