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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7575-100A,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7575-100A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7575-100A,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7575-100A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7575-100A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7575-100A,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 TO-220AB 封装,具有 100 V 漏源电压(VDS)、75 A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)及典型导通电阻 RDS(on) ≈ 13.5 mΩ(VGS=10 V)。其低导通损耗、高电流能力和兼容 5 V/3.3 V 逻辑驱动的特性,使其广泛应用于中高功率开关场景。典型应用包括:汽车电子中的车身控制模块(如车灯驱动、风扇/水泵电机控制、座椅调节)、工业电源的 DC-DC 转换器次级侧同步整流、电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关、电动工具与家用电器的电机驱动电路,以及通信设备中的热插拔保护和负载开关。该器件通过 AEC-Q101 认证,具备良好的抗雪崩能力与可靠性,适用于对安全性与长期稳定性要求较高的车载及工业环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 23A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7575-100A,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7575-100A,127 |
| Pd-PowerDissipation | 99 W |
| Pd-功率耗散 | 99 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 39 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 13A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9776-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 99W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK7575-100A |