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产品简介:
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BUK755R2-40B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 5.2 mΩ @ VGS = 10 V)、40 V 耐压、连续漏极电流高达 80 A(Tc = 25°C),具备良好的热稳定性和雪崩耐量。 该器件主要面向中高功率、中低压直流开关应用,典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的车灯驱动(前照灯、雾灯、尾灯)、电机控制(如散热风扇、雨刮电机、座椅调节电机)、DC-DC 转换器次级侧同步整流; ✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、电机启停与调速(如小型直流/无刷电机驱动)、电源负载开关与热插拔保护; ✅ 电源系统:开关电源(SMPS)的主开关或同步整流管、电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关、电子保险丝(eFuse); ✅ 消费类设备:大功率LED照明驱动、电动工具电池包保护电路、UPS 和储能系统的功率切换。 其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 典型值 2.0 V,可被 3.3 V/5 V MCU 直接驱动)和低导通损耗,特别适合空间受限、需高效能与简化驱动设计的嵌入式系统。需注意:实际使用中应合理设计PCB散热焊盘、栅极驱动电阻及过压/过流保护电路,以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK755R2-40B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3789pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.2 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5721 |
| 功率-最大值 | 203W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |