Datasheet下载- 型号： BUK752R7-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK752R7-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK752R7-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK752R7-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK752R7-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK752R7-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK752R7-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），主要面向高效率、中高功率开关应用。其典型参数包括：60V VDSS、最大导通电阻 RDS(on) 仅 2.7 mΩ（在 VGS = 10 V 时），连续漏极电流 ID 高达 120 A（Tc = 25°C），采用 TO-220AB 封装，具备优异的热性能与低开关损耗。 该器件广泛应用于： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的座椅加热、车窗升降、雨刮电机驱动、LED 大灯调光/开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持 12 V/24 V 车载系统。 ✅ 工业电源与电机控制：DC-DC 降压转换器（如服务器/通信电源次级侧同步整流）、BLDC 电机驱动的高边/低边开关、PLC 输出驱动模块。 ✅ 消费类与家电：大功率电磁炉、变频空调压缩机驱动、智能电表负载开关、电动工具电池保护电路（配合保护 IC 实现过流/短路关断）。 ✅ 绿色能源：光伏逆变器辅助电源、储能系统（ESS）中的电池充放电主回路开关。 其低 RDS(on) 和逻辑电平兼容特性（VGS(th) 约 1–2.5 V，可直接由 MCU GPIO 驱动）显著降低导通损耗与驱动复杂度，提升系统能效与可靠性。需注意：实际应用中建议搭配合适栅极驱动与散热设计（如加装散热片），并做好 ESD 防护与 PCB 布局优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK752R7-60E,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 158nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9840-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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