Datasheet下载- 型号： BUK752R7-30B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK752R7-30B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK752R7-30B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK752R7-30B,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK752R7-30B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK752R7-30B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK752R7-30B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.7 mΩ @ VGS = 10 V）、30 V 耐压、高连续漏极电流（ID = 120 A，TO-220AB 封装，PCB 散热良好时）等特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：作为车载电源管理中的主开关，用于 DC-DC 转换器（如 12 V → 5 V/3.3 V 降压模块）、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、风扇控制）及 LED 车灯调光/开关； - 工业电源与负载开关：在 PLC 输出模块、电池供电设备的智能电源开关（eFuse 功能）、热插拔电路中实现高效、快速的过流保护与软启动； - 电动工具与家电：驱动无刷直流（BLDC）电机的相桥臂下管，或作为大电流继电器替代方案，提升能效与响应速度； - 服务器/通信设备电源：用于 12 V 输入配电系统中的同步整流或负载点（PoL）开关，支持高效率、高功率密度设计。 该器件具备 AEC-Q101 认证（符合汽车级可靠性标准），内建 ESD 保护与雪崩耐量，适用于严苛环境下的高可靠性应用。其逻辑电平驱动特性（VGS(th) ≈ 1–2.5 V）可直接由 MCU 或 FPGA IO 口驱动，简化外围电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK752R7-30B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6212pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6622 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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