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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK752R3-40C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK752R3-40C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK752R3-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK752R3-40C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK752R3-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK752R3-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK752R3-40C,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，具有极低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.3 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V耐压、高达120 A连续漏极电流（TC = 25°C）及TO-220AB封装。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源管理，如DC-DC转换器（如12V→5V/3.3V）、电机驱动（车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED前照灯/尾灯调光与开关，符合AEC-Q101可靠性标准； - 工业电源与负载开关：适用于高效率开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的热插拔保护、大电流负载开关（如PLC输出模块、继电器替代）； - 电池管理系统（BMS）：作为主回路或均衡电路中的高压侧/低压侧开关，支持快速通断与低功耗运行； - 电动工具与家电：用于无刷直流（BLDC）电机控制器的功率级、大功率加热控制（如即热式热水器、电磁炉辅助开关）等需高电流、低损耗的场合。 该器件具备逻辑电平驱动特性（VGS(th) 1–2.5 V），可直接由MCU或驱动IC控制，无需额外电平转换；内置ESD保护与雪崩额定能力，提升系统鲁棒性。综合其低RDS(on)、高电流能力和车规认证，特别适用于对能效、尺寸和可靠性要求严苛的中高压、大电流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 40V TO220ABMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3Pin(3+Tab) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 276 A |
| Id-连续漏极电流 | 276 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK752R3-40C,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK752R3-40C,127 |
| Pd-PowerDissipation | 333 W |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| Qg-GateCharge | 175 nC |
| Qg-栅极电荷 | 175 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.4 V |
| 上升时间 | 133 ns |
| 下降时间 | 119 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11323pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 175nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6621 |
| 典型关闭延迟时间 | 146 ns |
| 功率-最大值 | 333W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS-200 3／4" BL48"BX.jpg)
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