Datasheet下载- 型号： BUK7514-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7514-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7514-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7514-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7514-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7514-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7514-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有 60V 漏源耐压（VDS）、110A 连续漏极电流（ID @ TC=25°C）及极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 14 mΩ @ VGS=10V），支持 4.5V 逻辑电平驱动，易于被微控制器直接控制。 该器件主要应用于中高功率、高效率的直流开关场景，典型包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的车灯（大灯、尾灯、雾灯）驱动、雨刮电机、座椅/车窗升降电机的 H 桥或单边开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，适用于 12V/24V 车载系统。 ✅ 工业电源与负载管理：DC-DC 二次侧同步整流、电源热插拔（Hot-swap）保护、可编程电源输出开关、PLC 输出驱动模块。 ✅ 电动工具与家电：无刷直流（BLDC）电机的相位开关（需搭配驱动 IC）、电饭煲/吸尘器等大电流负载的主功率开关。 ✅ 通信设备：基站电源冗余切换、PoE（以太网供电）受电端（PD）的 DC/DC 输入开关。 其低 RDS(on) 和快速开关特性（ton/toff 约 20/15 ns）有助于降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效；TO-220 封装便于散热设计，适合自然冷却或加装小型散热片的应用环境。不推荐用于高频谐振（如 >500 kHz）或强感性突变负载（无充分缓冲）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7514-60E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9836-5 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Ta） |
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