Datasheet下载- 型号： BUK6E4R0-75C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6E4R0-75C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6E4R0-75C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6E4R0-75C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6E4R0-75C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6E4R0-75C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6E4R0-75C,127 是 Nexperia USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 4.0 mΩ @ VGS = 10 V，4.8 mΩ @ 4.5 V）、75 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。 该器件主要适用于中高功率、高效率、空间受限的直流开关应用。典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的座椅/车窗/雨刮电机驱动；LED 前照灯/尾灯调光与开关；12 V/24 V 电源分配单元（PDU）中的智能高边/低边负载开关；符合 AEC-Q101 认证，支持车载严苛环境。 ✅ 工业控制：PLC 输出模块、继电器替代、DC-DC 转换器（如同步整流）、电动工具电池保护电路（过流/短路保护）、伺服驱动中的栅极驱动级或辅助电源开关。 ✅ 消费与计算设备：服务器/通信电源的热插拔（Hot-swap）保护、OR-ing 二极管替代、大电流 USB PD 供电路径管理、高端电源管理 IC 的外部功率开关。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V）可直接兼容 3.3 V/5 V MCU 或 FPGA 输出，简化驱动设计；LFPAK56 封装兼具优异热性能与小尺寸，利于高密度 PCB 布局。需注意：实际应用中应配合合理栅极驱动、PCB 铜箔散热设计及过压/雪崩保护措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK6E4R0-75C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 234nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7507-5 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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