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- 型号： BUK663R5-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BUK663R5-55C,118产品简介：
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BUK663R5-55C,118 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值3.5 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高连续漏极电流（ID=120A）和55V耐压等特点。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（如车灯驱动、雨刮电机、座椅调节、风扇控制等），符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持12V/24V车载系统； - 工业电源与电机驱动：适用于DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑中的主开关管）、伺服驱动器、步进电机H桥驱动等中高功率场合； - 电源管理：在服务器电源、通信设备电源、UPS等中用作同步整流开关或负载开关，提升能效； - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主控开关，支持大电流通断与快速响应； - 固态继电器与智能配电：替代机械继电器，实现无触点、长寿命、抗振动的高可靠性控制。 该器件具备逻辑电平驱动能力（4.5V即可充分导通），兼容微控制器（如MCU、DSP）直接驱动，简化外围电路设计；内置ESD保护及雪崩额定能力，提升系统鲁棒性。适用于需高效率、高可靠性和紧凑布局的中功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK663R5-55C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11516pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 191nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-7002-6 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
