Datasheet下载- 型号： BUK652R6-40C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK652R6-40C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK652R6-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK652R6-40C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK652R6-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK652R6-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK652R6-40C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有极低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.6 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V 耐压及高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、电动座椅/车窗驱动、LED 大灯调光与开关、雨刷电机控制等需高可靠性、AEC-Q101 认证（该型号符合）的车载应用； - 工业电源与负载开关：适用于 DC-DC 电源次级同步整流、服务器/通信设备的热插拔保护、高效率板载负载开关及冗余电源切换； - 电动工具与电池供电设备：凭借低 RDS(on) 和强电流能力，常用于无刷电机控制器（BLDC）的功率级、电池保护电路（如智能 BMS 中的充放电主开关）； - 固态继电器（SSR）与电子保险丝：替代机械继电器，实现快速、静音、长寿命的过流保护与负载通断控制。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 2.0 V），可直接由 MCU 或 FPGA GPIO 驱动，简化外围电路设计；内置 ESD 保护和雪崩耐量（UIS）能力强，提升系统鲁棒性。适用于高温（Tj 最高 175°C）、高振动、高可靠性要求的严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK652R6-40C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11334pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 199nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7493-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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