Datasheet下载- 型号： BUK6507-55C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6507-55C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6507-55C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6507-55C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6507-55C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6507-55C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6507-55C,127 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 55 V 漏源电压（VDS）、75 A 连续漏极电流（ID，TC=25°C）及典型导通电阻 RDS(on) 仅 7.5 mΩ（VGS=10 V），支持低驱动电压（4.5 V 即可充分导通），具备快速开关特性与强鲁棒性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电源管理（如车灯控制、雨刷/座椅电机驱动）、DC-DC 转换器（如 12 V/24 V 系统中的同步整流）、发动机控制单元（ECU）中的负载开关； ✅ 工业控制：PLC 输出模块、继电器替代方案、直流电机正反转驱动（配合H桥拓扑）、电磁阀/加热器等中高功率负载的开关控制； ✅ 电源系统：服务器/通信设备中的热插拔保护电路、OR-ing 二极管替代（提升效率）、大电流同步降压转换器的下管； ✅ 消费类设备：高端电动工具、UPS 电池切换、LED 驱动电源中的主开关器件。 该器件通过 AEC-Q101 认证（部分批次），具备优异的雪崩耐量和 ESD 防护能力，适用于对可靠性、效率和空间受限要求较高的中高功率开关场景。注意实际应用中需合理设计散热（TO-220 需配散热器）及栅极驱动（避免振荡与过压）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 55V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6507-55C,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6507-55C,127 |
| Pd-PowerDissipation | 158 W |
| Pd-功率耗散 | 158 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7487-5 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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