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  • 型号: BUK6228-55C,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6228-55C,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6228-55C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK6228-55C,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK6228-55C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK6228-55C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK6228-55C,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、最高 43 A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)及极低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 14 mΩ @ VGS=10 V,18 mΩ @ VGS=4.5 V),支持 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动。

其典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:车载 LED 照明控制、车窗升降电机驱动、座椅调节、雨刮器及风扇等中小功率负载的开关与 PWM 调速;符合 AEC-Q101 可靠性标准,适用于严苛车载环境。  
✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、DC-DC 同步整流、电源管理中的高效率开关(如 DC/DC 降压转换器的下管)、电机启停与正反转控制。  
✅ 消费类与嵌入式系统:智能家电(如洗衣机排水泵、空调风机)、电动工具电池保护电路、USB PD 电源路径管理、LED 恒流驱动及热插拔保护等。  

该器件具备快速开关特性、低栅极电荷(Qg ≈ 25 nC)和内置体二极管,适用于中频(≤100 kHz)开关应用,兼顾效率与散热性能(RthJC = 1.7 K/W)。需注意合理设计 PCB 散热焊盘并配合限流/过温保护以确保长期可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 55V 31A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

31 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6228-55C,118TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK6228-55C,118

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1340pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-6989-2
934064259118
BUK6228-55C,118-ND
BUK622855C118

功率-最大值

60W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A (Tmb)

配置

Single

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