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  • 型号: BUK6213-30C,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6213-30C,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6213-30C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK6213-30C,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK6213-30C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK6213-30C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK6213-30C,118 是 NXP USA Inc.(恩智浦)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 30V 漏源电压(VDS)、最高 45A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)、低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 13 mΩ @ VGS=10V),且支持 4.5V 逻辑电平驱动,兼容 5V 或 3.3V 微控制器直接驱动。

其典型应用场景包括:  
✅ 中功率直流开关应用:如工业控制中的继电器替代、PLC 输出模块、电机启停控制;  
✅ 电源管理:DC-DC 转换器次级侧同步整流、负载开关(Load Switch)、热插拔电路、电源路径管理;  
✅ 汽车电子辅助系统:符合 AEC-Q101 认证(该型号为工业级,但同系列广泛用于车规场景),适用于车载 LED 照明驱动、风扇/泵控制、车身控制模块(BCM)中的负载切换;  
✅ 消费与家电:电动工具电池保护电路、智能插座/开关、打印机/复印机的电机与加热元件驱动;  
✅ 嵌入式系统接口保护:作为反向电压/过流保护的后级开关,配合保险丝或电流检测电路使用。

其低 RDS(on) 和快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒)有助于减小导通损耗与开关损耗,提升系统效率。TO-220 封装便于散热设计,适合中等功率密度需求。需注意:实际应用中应合理设计栅极驱动(避免振荡)、添加续流二极管(驱动感性负载时),并确保散热满足功耗要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 30V 47A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

47 A

Id-连续漏极电流

47 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6213-30C,118TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK6213-30C,118

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

13 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

13 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1108pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-6984-6

功率-最大值

60W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A

配置

Single

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