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  • 型号: BUH100G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUH100G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUH100G价格参考。ON SemiconductorBUH100G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUH100G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUH100G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUH100G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高电压、高功率NPN型双极结型晶体管(BJT),主要面向工业与电源领域的开关应用。其典型应用场景包括:  
- 开关电源(SMPS)中的主开关管:适用于离线式AC-DC转换器(如TV电源、工业电源适配器),因其VCEO高达1000 V,可直接承受整流后高压直流母线(如≥400 V DC)。  
- 电子镇流器与荧光灯驱动电路:用于高频逆变级,实现灯管启辉与稳态工作控制。  
- 电磁炉与感应加热设备的谐振逆变桥:在半桥或全桥拓扑中作为高速开关器件(配合续流二极管使用),需注意其fT约2 MHz,适合数十kHz级开关频率。  
- 电机控制与继电器驱动:用于中小功率直流电机的H桥驱动或大电流负载通断控制(IC最大10 A,ICM 20 A脉冲)。  

该器件采用TO-220AB封装,具备良好散热性;内置基极-发射极反向二极管(B-E shunt diode),有助于改善关断特性与抗干扰能力。实际应用中需配合合适基极驱动(推荐IB ≥ IC/10以确保饱和导通)、RC缓冲网络抑制电压尖峰,并注意热设计(结温≤150°C)。不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN SW 400V 10A TO-220AB两极晶体管 - BJT 10A 700V 100W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUH100GSWITCHMODE™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BUH100G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

750mV @ 1.5A,7A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 5A,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

BUH100G-ND
BUH100GOS

功率-最大值

100W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

10 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

23 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

100 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

10 A

最小工作温度

- 60 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—基极电压VCBO

700 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

23MHz

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