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- 型号： BUD42DT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUD42DT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUD42DT4G价格参考。ON SemiconductorBUD42DT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUD42DT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUD42DT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUD42DT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型高电压、高增益双极结型晶体管（BJT），采用SOT-223封装。其典型应用聚焦于中功率开关与线性放大场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）次级侧控制电路——利用其VCEO=80V、IC=1A的额定参数，适用于反激式或正激式变换器中的反馈光耦驱动、基准电压开关或辅助绕组稳压控制； 2. 电机驱动与继电器驱动——作为达林顿对前级或独立开关，驱动小型直流电机、电磁阀或小型继电器线圈（需配合限流/续流二极管）； 3. 工业控制接口电路——在PLC模块、传感器信号调理板中用于电平转换、逻辑缓冲或负载切换； 4. LED恒流驱动（中小功率）——配合电流检测电阻构成简易线性恒流源，适用于指示灯或背光驱动（注意功耗限制）； 5. 模拟电路中的有源负载或电流镜——凭借高直流电流增益（hFE典型值100–300 @ IC=100mA），适用于分立式运算放大器或比较器的偏置电路。 该器件具备低饱和压降（VCE(sat)≈0.5V @ IC=500mA）、良好热稳定性及AEC-Q101兼容选项（部分批次），亦见于部分车载信息娱乐系统或车身电子模块中。需注意其SOT-223封装需合理布局散热焊盘以保障持续1A电流下的可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPOLAR 2A 350V DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUD42DT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 500mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 2A，5V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | BUD42DT4GOS |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | - |
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