Datasheet下载- 型号： BTS282Z
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BTS282Z由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTS282Z价格参考。InfineonBTS282Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BTS282Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BTS282Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7MOSFET N-Channel 49V SPEED TEMPFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 温度保护 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BTS282ZTEMPFET® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BTS282Z_DS_12.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432239cccd0123050dbba16f1a |
| 产品型号 | BTS282Z |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 49 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 49 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 240µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 232nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-7 |
| 其它名称 | BTS282ZAKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-7 成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220-7 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 49V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | BTS282 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | BTS282ZAKSA1 SP000399016 |
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