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  • 型号: BTB12-800CW3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BTB12-800CW3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTB12-800CW3G价格参考。ON SemiconductorBTB12-800CW3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BTB12-800CW3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BTB12-800CW3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRIAC 800V 12A TO220AB双向可控硅 12A TRIAC 35mA IGT

产品分类

双向可控硅分离式半导体

GateTriggerCurrent-Igt

35 mA

GateTriggerVoltage-Vgt

1.7 V

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体闸流管,双向可控硅,ON Semiconductor BTB12-800CW3G-

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产品型号

BTB12-800CW3G

三端双向可控硅类型

标准

不重复通态电流

120 A

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产品种类

双向可控硅

供应商器件封装

TO-220AB

保持电流Ih最大值

45 mA

关闭状态漏泄电流(在VDRMIDRM下)

0.005 mA

其它名称

BTB12-800CW3G-ND
BTB12-800CW3GOS

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

开启状态电压

1.55 V

最大工作温度

+ 125 C

最大转折电流IBO

120 A

最小工作温度

- 40 C

栅极触发电压-Vgt

1.7 V

栅极触发电流-Igt

35 mA

标准包装

50

电压-断态

800V

电压-栅极触发(Vgt)(最大值)

1.1V

电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm)

120A @ 60Hz

电流-保持(Ih)(最大值)

45mA

电流-栅极触发(Igt)(最大值)

35mA

电流-通态(It(RMS))(最大值)

12A

系列

BTB12-35MA

配置

单一

额定重复关闭状态电压VDRM

800 V

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