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- 型号： BSZ12DN20NS3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BSZ12DN20NS3G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ12DN20NS3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSZ12DN20NS3G价格参考以及InfineonBSZ12DN20NS3G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSZ12DN20NS3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BSZ12DN20NS3G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ12DN20NS3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术及PG-TSDSON-8封装。其典型参数包括：20V耐压、12mΩ（典型值）导通电阻（RDS(on)）、70A连续漏极电流（TC=25°C），具备低开关损耗与优异的热性能。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中低压DC-DC电源转换场景，典型应用包括： ✅ 服务器/通信设备的POL（负载点）转换器——凭借低RDS(on)和快速开关特性，提升48V→12V/5V/3.3V多级降压效率； ✅ 工业与嵌入式电源模块——用于同步整流BUCK变换器、电机驱动H桥的低侧开关； ✅ 电池供电系统——如电动工具、无人机电调中的高效半桥驱动，支持高频PWM（可达1MHz），减小磁性元件体积； ✅ LED驱动与USB PD快充次级同步整流——在紧凑空间内实现高能效与低温升。 其优化的栅极电荷（Qg≈22nC）与反向恢复电荷（Qrr极低）显著降低驱动损耗与EMI，配合无铅、符合RoHS的绿色封装，适用于对可靠性、能效及空间敏感的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSONMOSFET N-CH 200V 11.3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.3 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ12DN20NS3GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a |
| 产品型号 | BSZ12DN20NS3G |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 108 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 108 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名称 | BSZ12DN20NS3GDKR |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S, 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.3A （Tc） |
| 系列 | BSZ12DN20 |
| 零件号别名 | BSZ12DN20NS3GATMA1 SP000781784 |
