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  • 型号: BSZ0901NS
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ0901NS由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ0901NS价格参考。InfineonBSZ0901NS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ0901NS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ0901NS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V S308MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ0901NSOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ0901NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f20f7321863ddhttp://www.infineon.com/dgdl/BSZ0901NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f20f7321863dd

产品型号

BSZ0901NS

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

23 nC

Qg-栅极电荷

23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

6.8 ns

下降时间

4.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2850pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

其它名称

BSZ0901NSDKR

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

50W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

140 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Ta), 40A (Tc)

系列

BSZ0901

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSZ0901NSATMA1 SP000854570

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