图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSZ088N03MSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ088N03MSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ088N03MSG价格参考。InfineonBSZ088N03MSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSZ088N03MSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ088N03MSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ088N03MSG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.8 mΩ @ VGS=10 V）、快速开关特性及优异的栅极电荷（Qg≈21 nC）与反向恢复性能。其30 V耐压、80 A连续漏极电流（TC=25°C）及小型PG-TSDSON-8封装（3.3×3.3 mm），特别适用于高效率、高功率密度的低压直流应用。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于同步整流、DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的POL模块），提升能效并降低温升； ✅ 工业电机驱动：在BLDC电机控制器中作为H桥下管/上管，支持高频PWM驱动与低损耗换向； ✅ 电池管理系统（BMS）与电动工具：用作电池保护电路中的充放电主控开关或负载开关，兼顾低导通压降与过流响应速度； ✅ LED照明驱动：在高调光比、高频率PWM调光方案中实现高效恒流控制； ✅ 便携式设备电源管理：如笔记本电脑主板VRM、USB PD快充协议芯片配套的同步整流开关。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.2–2.2 V），兼容3.3 V/5 V MCU直接控制，并具备AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦可用于车载辅助电源等严苛环境。综合而言，BSZ088N03MSG是面向高效、紧凑型中低电压功率转换场景的理想单管解决方案。（字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ088N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddf12fe902f6 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSZ088N03MSG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名称 | BSZ088N03MSGINDKR |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 40A （Tc） |
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