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- 型号： BSZ088N03LSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ088N03LSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ088N03LSG价格参考。InfineonBSZ088N03LSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSZ088N03LSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ088N03LSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ088N03LSG是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅0.88 mΩ @ VGS=10V）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于同步整流、DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的POL模块），提升效率并降低温升； - 工业电源与电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制、伺服驱动中的H桥或半桥开关单元； - 电池管理系统（BMS）与电动工具：作为电池保护电路中的充放电主控开关，支持大电流（ID高达100A）和低损耗通断； - 车载电子：满足AEC-Q101认证（该型号为车规级版本），可用于ADAS域控制器、车载充电机（OBC）辅助电源等严苛环境； - 高密度电源模块：得益于其小型TSDSON-8封装（3.3×3.3 mm²）和优化的寄生参数，适合紧凑型PCB布局与多相并联设计。 该器件特别适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中低压（30V额定）高频开关应用。
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