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- 型号： BSP373E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP373E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP373E6327价格参考。InfineonBSP373E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP373E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP373E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP373E6327 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 Ω @ VGS = 10 V）、额定电压VDS = 60 V、连续漏极电流ID = 0.8 A（TA = 25°C），适合中低功率开关应用。其典型应用场景包括： - 电源管理：DC-DC转换器中的同步整流或低压侧开关； - 电机控制：小型直流电机（如风扇、玩具、办公设备）的驱动与启停控制； - 负载开关：用于USB供电路径管理、电池供电设备的电源通断控制（如便携式仪器、IoT终端）； - LED驱动：中低功率LED调光与开关控制（配合PWM信号）； - 工业控制：PLC模块、传感器接口、继电器替代方案等需可靠、紧凑型开关的场合。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、快速开关特性及ESD防护，适用于空间受限且对成本与可靠性有平衡要求的设计。注意：实际使用中需合理设计PCB散热（SOT-223引脚可焊盘大面积铺铜），并确保栅极驱动电压（推荐4.5–10 V）满足阈值要求（VGS(th)典型值2.1 V），以保障充分导通与低功耗。
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