Datasheet下载- 型号： BSO303P
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO303P由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO303P价格参考。InfineonBSO303P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO303P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO303P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO303P 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用小型SOT-363（SC-70-6）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 90 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路，用于实现高效、紧凑的正向/反向电源路径控制及过流防护。 2. LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED显示屏中，作为PWM调光的高侧开关，驱动白光LED串，利用其低功耗与快速响应提升能效与显示均匀性。 3. USB接口保护与热插拔管理：集成于Type-C接口前端，配合限流IC实现VBUS侧的过压/反向电流防护，支持即插即用安全供电。 4. 工业与IoT传感器节点：用于低功耗微控制器（如ARM Cortex-M系列）外围电路的电源域隔离与模块级上电时序控制，降低待机功耗并提升系统可靠性。 5. DC-DC转换器同步整流辅助开关：在小型降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中，作为辅助P-FET参与轻载优化或死区控制，改善效率。 该器件不适用于大功率主开关场景（因封装限制电流≤1.5A），但凭借双通道集成、小尺寸与高可靠性，特别适合空间受限、强调能效与成本平衡的中低功率嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO303P_080102.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b0285444a&fileId=db3a304412b407950112b42b02f3444b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO303P |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1761pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 供应商器件封装 | P-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO303PNT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.2A |
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