图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSC0908NS
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC0908NS由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC0908NS价格参考。InfineonBSC0908NS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC0908NS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC0908NS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSONMOSFET N-CH 34V 49A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 49 A |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC0908NSOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC0908NS_Rev+3.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432a14dd54012a186853252ac0 |
| 产品型号 | BSC0908NS |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 34 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 34 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC0908NSCT |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 56 S, 28 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 34V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 49A （Tc） |
| 系列 | BSC0908 |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | BSC0908NSATMA1 SP000847024 |
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