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- 型号： BSC067N06LS3
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC067N06LS3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC067N06LS3价格参考。InfineonBSC067N06LS3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC067N06LS3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC067N06LS3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC067N06LS3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅6.7 mΩ @ VGS=10V）、快速开关特性及优异的体二极管性能。其额定电压为60 V，连续漏极电流达80 A（TC=25°C），适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于同步整流BUCK转换器、VRM（电压调节模块）及POL（负载点）变换器，提升能效并降低温升； ✅ 工业电机驱动：在BLDC（无刷直流）电机控制中作为功率开关，支持高频PWM调制与高效换向； ✅ 电池供电系统：如电动工具、UPS和储能系统中的充放电主开关或保护电路，得益于其低RDS(on)可减少导通损耗，延长续航； ✅ 汽车电子：符合AEC-Q101认证（部分版本），可用于车载DC-DC转换器、LED车灯驱动及辅助电源系统（非安全关键应用）； ✅ 消费类快充设备：在GaN+Si混合架构或高功率PD适配器中作次级同步整流开关，提升整体效率至95%以上。 该器件采用PG-TDSON-8封装（暴露焊盘），热性能优异，便于PCB散热设计，兼顾性能与可靠性。
产品参数
图文手册
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