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  • 型号: BSC050NE2LS
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC050NE2LS由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC050NE2LS价格参考。InfineonBSC050NE2LS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC050NE2LS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC050NE2LS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8MOSFET N-Channel 25V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

58 A

Id-连续漏极电流

58 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC050NE2LSOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d

产品型号

BSC050NE2LS

Pd-PowerDissipation

28 W

Pd-功率耗散

28 W

Qg-GateCharge

10.4 nC

Qg-栅极电荷

10.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.2 nS

下降时间

2 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

760pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8

其它名称

BSC050NE2LS-ND
BSC050NE2LSATMA1
SP000756340

典型关闭延迟时间

11.4 nS

功率-最大值

28W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

39A (Ta), 58A (Tc)

系列

BSC050NE2

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC050NE2LSATMA1 SP000756340

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