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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BR261W30A101E1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BR261W30A101E1G价格参考。ON SemiconductorBR261W30A101E1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BR261W30A101E1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BR261W30A101E1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BR261W30A101E1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款音频专用薄膜电阻网络(Precision Thin-Film Resistor Array),非IC或主动器件,而是高精度、低温漂、低噪声的无源元件。其典型参数包括:阻值101Ω(±1%容差)、额定功率300mW/每路、TCR ±25 ppm/°C、四路独立匹配电阻(4R)、表面贴装(SOIC-16封装)。 该器件主要应用于对音频信号完整性要求严苛的模拟前端场景,例如: - 高保真(Hi-Fi)音频设备中的精密分压/偏置网络,用于DAC输出缓冲、ADC输入调理; - 专业级音频混音台、音频编解码器(CODEC)模块中的通道匹配衰减网络,确保左右声道增益一致性; - 模拟音量控制电路(替代机械电位器)、平衡式线路驱动/接收电路中的共模抑制匹配电阻; - 低噪声麦克风前置放大器的反馈与增益设定网络,利用其低TCR和良好匹配性减少温漂引入的失真。 因其优异的电阻匹配性(通道间偏差<0.1%)和长期稳定性,特别适用于需多通道同步处理、高信噪比(SNR >110dB)及宽温度范围工作的便携式高端音频设备与工业音频采集系统。注意:它不包含放大、编解码或数字逻辑功能,须配合运放、ADC/DAC等器件协同使用。