【未分类_BQ4014MB-120】封装/厂家_BQ4014MB-120中文资料_价格

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型号： BQ4014MB-120
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4014MB-120由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4014MB-120价格参考。Texas InstrumentsBQ4014MB-120封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BQ4014MB-120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4014MB-120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4014MB-120 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如DRAM、Flash），其核心特点是：在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM，上电后自动恢复，兼具SRAM的高速读写与EEPROM的非易失性优势。

典型应用场景包括：  
✅ 工业自动化设备：PLC、运动控制器、HMI等需在意外断电时瞬时保存运行状态、寄存器值或故障日志；  
✅ 通信基础设施：基站控制单元、交换机/路由器中的配置缓存与计数器数据保护；  
✅ 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据可靠性要求极高的场景，确保关键参数（如剂量、报警阈值）不因断电丢失；  
✅ 智能电表与能源管理系统：保存实时计量数据、事件记录（如电压骤降、开盖事件），满足AMI（高级计量架构）数据完整性要求；  
✅ 汽车电子（车载信息娱乐及车身控制模块）：用于存储用户偏好设置、校准参数或诊断故障码（DTC），符合AEC-Q200可靠性标准（注：BQ4014MB-120为工业级，具体车规应用需确认型号后缀及认证）。

该器件工作温度范围为–40°C 至 +85°C，支持120ns访问速度，采用28引脚SOIC封装，适用于高可靠性、频繁读写且不允许数据丢失的关键嵌入式系统。注意：其“存储器”分类属广义范畴，在TI官方归类中属于“特殊功能存储器”或“NVSRAM”。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
产品分类	存储器
品牌	Texas Instruments
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BQ4014MB-120
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	32-DIP 模块（18.42x52.96）
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	2M （256K x 8）
封装/外壳	32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	10
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.75 V ~ 5.5 V
速度	120ns