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  • 型号: BQ4013LYMA-70N
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4013LYMA-70N由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4013LYMA-70N价格参考。Texas InstrumentsBQ4013LYMA-70N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BQ4013LYMA-70N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BQ4013LYMA-70N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4013LYMA-70N 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款非易失性静态RAM(NVSRAM),而非传统意义上的存储器(如DRAM、Flash)。其核心特点是:在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM,上电后自动恢复,兼具SRAM的高速读写(70ns访问时间)与非易失性。

主要应用场景包括:  
✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI等人机界面中需实时保存运行参数、故障日志或校准数据,确保断电不丢数;  
✅ 通信基础设施:基站、交换机、光模块中用于缓存配置信息、MAC地址表或链路状态,保障热重启快速恢复;  
✅ 医疗电子设备:监护仪、输液泵等对数据可靠性要求极高的场景,安全保存患者设置、报警阈值及操作记录;  
✅ 汽车电子(车载信息娱乐/ADAS辅助系统):在宽温(–40°C 至 +85°C)、高振动环境下可靠保存系统配置和诊断码(DTC),符合工业级可靠性要求;  
✅ 智能电表与能源管理系统:记录用电数据、事件时间戳及密钥信息,满足计量设备对数据完整性和掉电保持的严苛标准。

注:该器件采用SOIC-28封装,支持3.3V供电,内置自动存储/恢复逻辑,免去外接电池及复杂电源管理设计,显著提升系统可靠性与设计简洁性。
产品参数 图文手册 常见问题
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