Datasheet下载- 型号： BQ4011YMA-70
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4011YMA-70由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4011YMA-70价格参考。Texas InstrumentsBQ4011YMA-70封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BQ4011YMA-70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4011YMA-70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BQ4011YMA-70 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如DRAM、Flash等）；其核心特点是将SRAM的高速读写性能与EEPROM/Flash的断电数据保持能力集成于一体，通过内置锂电池（或外部备用电源）实现真正的“无电池掉电保护”（即内部集成锂原电池，典型寿命10年）。 该器件容量为64K×8位（512Kb），访问时间为70ns，采用32引脚SOIC封装。其典型应用场景包括： - 工业控制系统：如PLC、DCS模块中保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保意外断电时不丢失； - 通信设备：基站、交换机中的配置寄存器缓存、MAC地址表、链路状态信息等需快速存取且高可靠保存的数据； - 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的设备中，用于存储患者设置、报警阈值及操作历史； - 智能电表与能源管理系统：记录用电事件、需量数据、时间戳等需长期可靠保存的计量信息； - 航空航天与军工嵌入式系统：在宽温、高可靠性要求环境下替代外置电池+SRAM方案，简化设计并提升MTBF。 需注意：BQ4011YMA-70已属TI停产（NRND）型号，当前推荐替代型号为BQ4013（同系列升级版）或新型SPI/I²C接口NVSRAM（如CAT24C512）。实际选型应结合功耗、接口、温度范围及生命周期要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4011YMA-70 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块（18.42x37.72） |
| 其它名称 | 296-9393-5 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 14 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 70ns |
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