【未分类_BQ4010LYMA-70N】封装/厂家_BQ4010LYMA-70N中文资料_价格

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型号： BQ4010LYMA-70N
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4010LYMA-70N由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4010LYMA-70N价格参考。Texas InstrumentsBQ4010LYMA-70N封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BQ4010LYMA-70N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4010LYMA-70N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4010LYMA-70N 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），属于存储器类别。该器件集成了SRAM、EEPROM和自动数据保存控制电路，采用“软写”技术，在断电时可将SRAM数据自动、可靠地备份至内部EEPROM，上电后自动恢复，无需外部电池或外部控制器干预。

其典型应用场景包括：  
- 工业控制系统：如PLC、DCS模块中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保断电不丢数；  
- 通信设备：基站、路由器、交换机中的配置寄存器、MAC地址表或会话缓存，需高可靠性与快速读写；  
- 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的场景，保障患者设置与历史记录持久存储；  
- 智能电表与能源管理系统：存储计量数据、事件记录（如失压、断相时间戳），满足国网/IEC标准对非易失存储的可靠性要求；  
- 汽车电子（车载信息娱乐或车身控制模块）：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高振动环境下提供免电池、抗干扰的数据保持能力。

该型号支持70ns高速访问、3.3V供电，封装为28-pin SOIC，适用于对实时性、数据安全性和长期免维护有较高要求的嵌入式系统。注意：虽属TI产品线，但BQ4010系列已进入生命周期终止（NRND）阶段，设计新项目时建议评估替代型号（如BQ4011或新型nvSRAM/FRAM方案）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Texas Instruments
产品目录	半导体
描述	NVRAM 8Kx8 Nonvol SRAM 3.3V In 10% Vltg Tol
产品分类	集成电路 - IC
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	内存,NVRAM,Texas Instruments BQ4010LYMA-70N
产品型号	BQ4010LYMA-70N
产品种类	Non-Volative SRAM (NVSRAM)
商标	Texas Instruments
存储容量	64 kbit
安装风格	Through Hole
封装	Tray
封装/箱体	DIP-28 Module
工作电流	30 mA
工厂包装数量	14
接口类型	Parallel
数据总线宽度	8 bit
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	3 V
系列	BQ4010LY
组织	8 k x 8
访问时间	70 ns