Datasheet下载- 型号： BLS6G2731S-120,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2731S-120,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2731S-120,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2731S-120,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2731S-120,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2731S-120,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLS6G2731S-120,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.7–3.1 GHz 频段设计（典型用于 2.7–2.9 GHz 5G NR n77/n78 频段）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站与大规模 MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）：凭借高输出功率（典型 POUT = 120 W @ 2.8 GHz，GaN-LDMOS 混合架构优化）、高效率（典型 PAE > 55%）及优异线性度，适用于多通道射频前端功放模块，满足 5G 高吞吐、低时延需求。 - 宽带无线接入系统（如 WTTx、固定无线接入 FWA）：支持 2.5–3.5 GHz 宽带信号放大，适用于 5G C 波段点对多点通信基站。 - 小型基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）远端单元（RU）：在紧凑封装（SOT1232A）下实现高功率密度与良好热性能，适配空间受限的部署环境。 - 测试仪器与射频实验室设备：作为宽带射频信号发生器、功率放大器模块的核心器件，用于研发验证与一致性测试。 该器件集成ESD保护、具备良好热稳定性和可靠性（符合 AEC-Q200 可靠性标准），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）工作，广泛应用于面向 5G 商用部署的中高频段基础设施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G2731S-120,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934061526112 |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| 额定电流 | 33A |
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