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- 型号： BLP8G10S-45PY
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP8G10S-45PY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP8G10S-45PY价格参考。NXP SemiconductorsBLP8G10S-45PY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP8G10S-45PY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP8G10S-45PY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP8G10S-45PY 是 Ampleon USA Inc. 推出的一款高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 960–1215 MHz 频段（典型覆盖 L 波段，如 1030/1090 MHz）设计，采用陶瓷封装（SOT-1227A），具备 45 W 连续波（CW）输出功率能力及高增益、高效率特性。 其主要应用场景包括： • 航空电子系统：广泛用于飞机应答机（ATC Transponder）、ADS-B（广播式自动相关监视）地面站与机载发射模块，在 1030 MHz（询问）和 1090 MHz（应答）频点提供稳定、可靠的射频功率放大； • 雷达系统：适用于中程空中交通管制（ATC）雷达、气象雷达及军用L波段战术雷达的末级功放级，满足脉冲工作模式下的峰值功率与线性度要求； • 无线通信基础设施：可用于专用宽带无线接入系统或高可靠性点对点微波回传链路中的L波段发射前端； • 工业与科研射频源：如EMC测试激励源、等离子体发生器驱动等需稳定L波段大功率输出的场景。 该器件具备优异的热稳定性、高VSWR耐受能力（10:1）及集成ESD保护，适合在严苛环境（如机载、基站室外柜）中长期可靠运行。需配合匹配网络与高效散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS 4HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP8G10S-45PY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 4-HSOP |
| 其它名称 | 934067371518 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.8dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 224mA |
| 频率 | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | - |
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