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- 型号： BLF8G09LS-400PGWJ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G09LS-400PGWJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G09LS-400PGWJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G09LS-400PGWJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G09LS-400PGWJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G09LS-400PGWJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G09LS-400PGWJ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，工作频段为 700–960 MHz（覆盖全球主流蜂窝通信频段，如LTE Band 12/13/14/17/20/28及5G n5/n8/n20/n28等），典型输出功率达 400 W（连续波），具备高增益（≥18 dB）、高效率（典型漏极效率 >70%）和优异的线性度与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 宏基站射频功率放大器（PA）：广泛用于4G LTE及5G Sub-1 GHz低频段基站的末级功放模块，尤其适用于需广覆盖、强穿透能力的农村及郊区场景； ✅ 分布式天线系统（DAS）与小型基站（Small Cell）：在中等功率需求的室内覆盖或热点增强系统中提供可靠、紧凑的射频放大方案； ✅ 广播与无线通信基础设施：兼容TDD/FDD架构，适用于公共安全通信、数字地面电视（DTTV）及宽带无线接入设备； ✅ 工业与科研射频源：如RF加热、等离子体激发等需要稳定大功率射频输出的非通信领域。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1222B），支持强制风冷或液冷散热，集成ESD保护与宽范围VSWR耐受能力（>65:1），显著提升系统鲁棒性与长期运行可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G09LS-400PGWJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934068059118 |
| 功率-输出 | 95W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.6dB |
| 封装/外壳 | SOT-1242C |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 3.4A |
| 频率 | 718.5MHz ~ 725.5MHz |
| 额定电流 | - |
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