【未分类_BLF7G24L-140,112】封装/厂家_BLF7G24L-140,112中文资料_价格

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型号： BLF7G24L-140,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24L-140,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24L-140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24L-140,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G24L-140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G24L-140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF7G24L-112（注：型号标准写法为BLF7G24LS-140，或BLF7G24L-140/112，后缀“112”通常指卷带包装；Ampleon官方文档中该器件完整型号常标为BLF7G24LS-140）是Ampleon USA Inc.推出的高性能LDMOS射频功率晶体管，工作频段为2.3–2.7 GHz（覆盖B40/B41等5G Sub-6 GHz频段），典型输出功率达140 W（连续波），具备高增益（约18 dB）、高效率（典型PAE > 65% @ 2.6 GHz）及优异的热稳定性和宽带匹配能力。

其主要应用场景包括：  
✅ 5G宏基站功率放大器（PA）：广泛用于2.6 GHz频段大规模MIMO（Massive MIMO）基站的末级功放模块，支持高阶调制（如256-QAM）和宽瞬时带宽（≥100 MHz）。  
✅ TDD-LTE与5G NR基站设备：适用于基站发射链路中的AB类或Doherty架构PA设计，满足3GPP Class A/B线性度要求。  
✅ 广播与专网通信系统：可用于2.4–2.7 GHz频段的公共安全无线通信、广电5G融合网络等高可靠性射频发射系统。  
✅ 工业与科研射频源：在RF加热、等离子体激励及EMC测试信号源等需要稳定大功率射频输出的场景中亦有应用。

该器件采用陶瓷封装（SOT539A），支持风冷或液冷散热，符合RoHS，具备良好的ESD防护（HBM ≥ 2 kV）和长期可靠性，是面向5G基础设施的关键射频功率器件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS SOT502A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G24L-140,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	568-8627-5 934064993112 BLF7G24L-140,112-ND BLF7G24L140112
功率-输出	30W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18.5dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.3A
频率	2.3GHz ~ 2.4GHz
额定电流	28A