ICGOO在线商城 > BLF7G22L-200,118
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF7G22L-200,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BLF7G22L-200,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22L-200,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BLF7G22L-200,118价格参考以及NXP SemiconductorsBLF7G22L-200,118封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BLF7G22L-200,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BLF7G22L-200,118详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G22L-200,118 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2200 MHz），额定输出功率达 200 W（连续波，CW）或 200 W 峰值（脉冲/包络跟踪模式）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站发射链路：广泛用于 2.1 GHz 频段（如 Band 1、n1）的 5G NR 基站末级功放（PA），支持高效率、宽带宽（≥90 MHz 瞬时带宽）和高线性度要求，适配 DPD（数字预失真）技术； - LTE-A / 4G 基站升级与扩容：兼容现有 2.1 GHz LTE 网络（如中国移动/联通 Band 1），满足高吞吐量与多载波（4×20 MHz CA）场景下的功率与效率需求； - 小基站（Metrocell/Remote Radio Head）与有源天线单元（AAU）：凭借高功率密度、集成ESD保护及优良热稳定性（采用陶瓷封装，可直接安装于散热器），适用于紧凑型射频前端模块； - 广播与工业射频加热系统：在需稳定大功率输出的非通信领域（如等离子体激发、医疗射频消融设备）亦有应用潜力。 该器件支持高增益（典型22 dB）、高漏极效率（>65% @ CW，>45% @ 5G 8.5 dB PAR 信号），并具备优异的 ruggedness（抗负载失配能力，VSWR ≥10:1 不损坏），显著提升系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G22L-200,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8670-6 |
| 功率-输出 | 55W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.62A |
| 频率 | 2GHz ~ 2.2GHz |
| 额定电流 | - |
