Datasheet下载- 型号： 1N5231BDO35TR
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5231BDO35TR由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5231BDO35TR价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5231BDO35TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5231BDO35TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5231BDO35TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的1N5231BDO35TR是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压参考和稳压应用。 主要参数特点： - 齐纳电压：约5.1V（标称值） - 功耗低，适用于小功率电路 - 封装形式为DO-35，适合通孔安装 - 具有良好的稳定性和可靠性 常见应用场景： 1. 电压参考源： 在模拟电路、电源管理模块中，作为基准电压源，用于比较器、ADC/DAC参考电压等。 2. 电源稳压电路： 搭配限流电阻使用，可构建简单低成本的稳压电路，适用于低功耗设备中的局部稳压。 3. 过压保护： 在敏感电路中作为钳位器件，防止瞬态高压对后续电路造成损坏。 4. 信号调理电路： 用于限幅、电平转换等信号处理场合，确保输入信号在安全范围内。 5. 工业控制与通信设备： 广泛应用于PLC、传感器、仪表、通信模块等对稳定性要求较高的工业和嵌入式系统中。 6. 消费类电子产品： 如电源适配器、充电器、小家电等产品中，用于提供稳定电压或实现简单保护功能。 该器件因其高可靠性和成熟封装，适用于多种中低功率应用场景，尤其适合对成本和空间有一定限制的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N5231BDO35TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5231B(DO-35)MSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 17 欧姆 |
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