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  • 型号: BLF7G10LS-250,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G10LS-250,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G10LS-250,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G10LS-250,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G10LS-250,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G10LS-250,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G10LS-250,118 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管,广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作在 L 波段(约 945–990 MHz),具备出色的功率增益和效率,输出功率可达 250 瓦,适用于连续波(CW)和脉冲模式操作。

其主要应用场景包括工业、科学和医疗(ISM)频段设备,如射频加热、等离子体生成和材料处理系统;同时也用于地面数字电视广播发射机,提供稳定可靠的射频功率放大。此外,该器件还适用于航空通信、雷达系统以及公共安全和应急通信基站,在需要高可靠性和热稳定性的户外或严苛环境中表现出色。

BLF7G10LS-250,118 采用先进的封装技术,具有良好的散热性能和抗负载失配能力,适合在高驻波比(VSWR)条件下运行,保障系统长期稳定工作。因其高效率和紧凑设计,也常用于空间受限但对性能要求严格的射频模块中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF7G10LS-250,118

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

568-8668-6

功率-输出

60W

包装

Digi-Reel®

噪声系数

-

增益

19.5dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

1

电压-测试

30V

电压-额定

65V

电流-测试

1.8A

频率

920MHz ~ 960MHz

额定电流

-

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