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产品简介:
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Ampleon USA Inc. 的 BLF7G10LS-250,118 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管,广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作在 L 波段(约 945–990 MHz),具备出色的功率增益和效率,输出功率可达 250 瓦,适用于连续波(CW)和脉冲模式操作。 其主要应用场景包括工业、科学和医疗(ISM)频段设备,如射频加热、等离子体生成和材料处理系统;同时也用于地面数字电视广播发射机,提供稳定可靠的射频功率放大。此外,该器件还适用于航空通信、雷达系统以及公共安全和应急通信基站,在需要高可靠性和热稳定性的户外或严苛环境中表现出色。 BLF7G10LS-250,118 采用先进的封装技术,具有良好的散热性能和抗负载失配能力,适合在高驻波比(VSWR)条件下运行,保障系统长期稳定工作。因其高效率和紧凑设计,也常用于空间受限但对性能要求严格的射频模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G10LS-250,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8668-6 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 920MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |